GaSb相关论文
运用第一性原理计算方法研究了过渡族金属TM(TM=Ru、Rh、Pd)掺杂GaSb的电子结构和光学性质,结果表明:TM掺杂GaSb主要以TM替代Ga(TM......
近些年,InAs/GaSb II型超晶格材料很多方面的性质已经得到研究,本文中,我们利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的方法在GaSb衬底上......
基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系, 制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比, 同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电......
本文系统地研究了热致相变对射频磁控溅射的GaSb薄膜光学性质和微观结构的影响.发现在270℃左右具有连续无序网络结构的非晶GaSb薄......
In view of the importance of enhancing ferromagnetic (FM) coupling in dilute magnetic semiconductors (DMSs),the effects ......
在 N-GaSb 的锌散开过程与散开来源(锌小团) 的过多、适当、不够的数量被学习。与适当的锌小团数量获得的 Kink-and-tail 类型锌集......
利用B2O3助熔剂法结合热压法制备了Mg2Si0.487-2x Sn0.5(Ga Sb)x Sb0.013(0.04≤x≤0.10)固溶体。X射线衍射结果表明样品呈单相。S......
介绍了GaSb单晶的制备方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)......
本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×......
利用离子注入法在Si(001)衬底上先后注入了Ga+和Sb+,注入能量分别为140,220 keV,注入剂量分别为8.2×1016,6.2×1016cm-2,然后对样......
据《化合物半导体》2010年2月4日报导,IQE推出新款4英寸GaSb产品。GaSb材料广泛应用于热能转化电能产品中,包括红外激光二极管、探......
空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境 ,为提高晶体质量创造了条件 ,引起晶体生长研究人员的关......
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料......
对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(10......
对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面......
系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,......
研究了一种2μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2μm的TM模式,反射镜具有大......
采用自制的低压金属有机化学汽相淀积LP-MOCVD设备,在(100)面GaSb单晶衬底上外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、光学显微镜和......
利用分子束外延的方法在GaSb衬底上生长GaSb热光伏电池单元,制作了两种不同的1 cm×1 cm面积尺寸的热光伏电池单元,它们有着不同的......
Ⅲ-Ⅴ族锑化物是半导体材料体系的重要组成部分,由于其独特的能带结构、有效质量小、电子迁移率高等优良特性,在超高速低功耗器件......
采用平均键能理论结合形变势方法对由ＡＩＳｂ，ＧａＳｂ和ＩｎＳｂ所构成的应变超晶格界面在任意应变状态下的价带偏移值进行了确定，并分析了阳离子浅ｄ轨道对价......
本文给出了水平Ｂｒｉｄｇｍａｎ法生长Ｇａｓｂ晶体中几种典型缺陷的化学腐蚀图像。探讨了缺陷产生的可能原因及减少或消除这些缺陷的途径。生长出较高质量......
采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为V族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底......
用单能慢正电子束和 X 射线衍射方法研究了 Al/n-GaSb 金属半导体异质结在不同温度退火的情况下的演变.采用三层模型既 Al/界面/Ga......
根据普适参数紧束缚方法得到的最近邻对原子相互作用能以及改进的Ｋｉｋｕｃｈｉ近似，我们计算了合金（Ｇａｓｈ）１－ｘＧｅ２ｘ，（ＩｎＰ）１－ｘＧｅ２ｘ的亚稳相图．在计算亚稳相图时，Ｇｅ原子取为无序分布......
通过在宽区GaSb基半导体激光器波导中引入鱼骨型微结构,实现了瓦级激光输出并且改善了侧向发散角.本文通过分析微结构的刻蚀深度对......
本文利用液相外延方法,在较大组分范围内(0≤x≤0.17,0≤y≤0.12),成功地生长出了晶格匹配于(100)GaSb衬底的In_xGa_(1-x)As_ySb_(......
在利用分子束外延(MBE)技术生长GaSb薄膜材料过程中,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实现了GaSb薄膜制备的实时监控.利用RHEED衍射......
This paper reports that GaSb thin films have been co-deposited on soda-lime glass substrates. The GaSb thin film structu......
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期刊
,Improved interfacial and electrical properties of GaSb metal oxide semiconductor devices passivated
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,GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its temperature dependent char
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Undoped p-type Ga Sb single crystals were annealed at 550–600?C for 100 h in ambient antimony. The annealed Ga Sb sampl......
The performance of double gate GaSb nMOSFETs with surface orientations of (100) and (111) are compared by deterministica......
,High quality 2-μm GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser grown by molecular beam epit
The epitaxial growth conditions and performance of a diode-pumped GaSb-based optically pumped semiconductor disk laser (......
Te-doped GaSb single crystal grown by the liquid encapsulated Czochralski (LEC) method exhibits a lag of compen-sating p......
We review our recent efforts on developing HgCdSe infrared materials on GaSb substrates via molecular beam epitaxy (MBE)......
在本篇论文中,我们利用八带→K·P→有效质量理论和Boltzmann平衡方程方法研究了沿[001]方向生长的InAs/GaSb第二类超晶格系统的红......
Growth and fabrication of a mid-wavelength infrared focal plane array based on type-Ⅱ InAs/GaSb supe
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Based on comparison of the single crystal growth from several Czochralski techniques,it showed that the most advantageou......
主要研究了GaSb单晶片的化学机械抛光(CMP)。使用硅溶胶作为抛光液对切割、机械抛光后的GaSb单晶片进行了CMP实验。在实验中,通过......
